来自半导体世界消息，2019年9月20日，合肥长鑫宣布正式量产DDR4内存，他们成为第一个国产内存供应商。目前该公司官网上已经开始对外供应DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模组。

关于长鑫的DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模组我们之前有过详细介绍，现在对他们来说最大的问题还是产能。

长鑫国产内存项目有三期，第一期投资约为72亿美元，预计产能就有12.5万片晶圆/月，这个产能跟SK海力士在无锡投资的内存工厂差不多规模，能占到全球内存芯片产能的10%。

不过此前消息称当前的产能还只有2万片晶圆/月，对内存市场不会有什么影响，预计今年底扩展到4万片晶圆/月，这个产能大概能占到全球内存产能的3%了。

在内存方面，三星是全球第一大内存供应商，份额能占到45%左右，产能规模是国产公司的十几二十倍之多，差距还很遥远。

当然，除了产能上的差距之外，技术上的差距也是个问题，长鑫的内存还是19nm工艺，三星已经发展到了1Znm工艺，领先两三代左右。

在2019年9月份的GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，提到了长鑫的DRAM内存技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据。

长鑫公司在此基础上将奇梦达46nm工艺的内存改进，研发出了10nm级的自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。

2019年9月21日，在2019世界制造业大会上，合肥市政府与长鑫存储技术有限公司、华侨城集团有限公司、北方华创科技集团股份有限公司等就合肥长鑫集成电路制造基地项目签约。

合肥长鑫集成电路制造基地项目总投资超过2200亿元，选址位于合肥空港经济示范区，占地面积约15.2平方公里，由长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目、空港集成电路配套产业园和合肥空港国际小镇三个片区组成。

其中长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目总投资1500亿元；空港集成电路配套产业园总投资超过200亿元，位于长鑫存储项目以西；合肥空港国际小镇总投资约500亿元，规划面积9.2平方公里，总建筑面积420万平方米，位于长鑫存储项目以北。

制造基地全部建成后，预计可形成产值规模超2000亿元，集聚上下游龙头企业超200家，吸引各类人才超20万人。